Россия начнет выпуск силовой электроники, используя кремниевые пластины азиатского производства. Развитие собственного выпуска пластин в стране требует значительных затрат и может быть экономически нецелесообразным.
Стратегия силовой кооперации
Руководитель проектной группы Центра перспективной электроники Виталий Бормашов на форуме «Микроэлектроника» обозначил зависимость российского производства силовой электроники от поставок пластин кремния из Азии.
«Хотя Минпромторг профинансировал значительный объем работ по созданию полупроводникового кремния для силовой электроники, — подчеркнул Бормашов, — полная производственная цепочка до сих пор не сформирована и, вероятно, создана не будет».
В связи с этим, запускаемые проекты «Кубик» и «ГаН» будут ориентированы на пластины из Китая и Малайзии.
Бормашов предложил разработать аванпроект для создания конкурентоспособного и масштабируемого производства кремния.
Разные взгляды на локализацию
Несмотря на скепсис Виталия Бормашова относительно создания полного цикла в России, представители группы «Элемент» заявили о стремлении к достижению этой цели.
«Для проектов "Кубик" и GaN уже реализуются инициативы по созданию производства материалов для подложек, разработке оборудования и участков эпитаксии пластин, — пояснил представитель группы. — Это обеспечит проекты необходимыми материалами к моменту серийного выпуска».
Прорывные проекты «ГаН» и «Кубик»
Оба проекта реализуются предприятиями группы «Элемент». Ранее сообщалось об инвестициях в 4,4 млрд рублей в производство силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Этот современный материал позволяет создавать транзисторы с превосходными характеристиками: работа на высоких температурах и частотах, повышенная плотность мощности и энергоэффективность по сравнению с кремниевыми аналогами.
База для инноваций в Воронеже
Проект GaN будет запущен на площадке НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже. Его реализация дополнит существующие мощности НИИЭТ по сборке GaN-транзисторов кристальным производством электронных компонентов по технологии нитрида галлия, создав первое в России производство полного цикла.
Проектная мощность нового кристального производства составит 5,5 тыс. пластин в год (в 200-мм эквиваленте). Запуск серийного выпуска транзисторов запланирован на 2028 год. Проект поддерживается льготным финансированием от Фонда развития промышленности (ФРП) и Сбера.
Масштабный проект «Кубик»
Проект «Кубик» предполагает организацию на заводе «Микрон» выпуска силовых компонентов: транзисторов и диодов на основе кремния и карбида кремния. Группа «Элемент» планирует к 2030 году вывести производство на проектную мощность в 100 тыс. пластин на кремнии и 40 тыс. пластин на карбиде кремния, что позволит покрыть до 60% внутреннего спроса России.
Источник: biz.cnews.ru
